声明
严正声明：本站非期刊官网，非中介代理。
本站仅提供学术规范服务：快速预审、润色编辑服务、中英文查重、降重、去重服务、推荐合适的期刊投稿等学术规范服务。 如需提供学术规范服务请联系在线编辑。
国内刊号：37-1378/N
国际刊号：1671-3559
发布日期:
基金：国家自然科学基金项目(62005095)
为了实现忆阻器在神经网络中的应用，采用磁控溅射技术制备模拟型氧化钨忆阻器；在氧化铟锡导电玻璃衬底上依次生长氧化钨薄膜和银薄膜，将氧化钨作为阻变层，氧化铟锡作为底电极，银作为顶电极；采用扫描电子显微镜和系统数字源表表征制备的氧化钨忆阻器的结构、电学性能和导通机制。结果表明：制备的氧化钨忆阻器具有优异的突触性能，阻变机制由银导电细丝为主导；将制备的忆阻器用于神经网络仿真，准确率达到99.11%,与中央处理器的准确率99.31%相近，能够应用于神经形态的计算。
来源：2025年第02期
《济南大学学报(自然科学版)》期刊编辑部
严正声明：本站非期刊官网，非中介代理。
本站仅提供学术规范服务：快速预审、润色编辑服务、中英文查重、降重、去重服务、推荐合适的期刊投稿等学术规范服务。 如需提供学术规范服务请联系在线编辑。